HfLaON n-MOSFETs Using a Low Work Function HfSix Gate (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : HfLaON n-MOSFETs Using a Low Work Function HfSix Gatehttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=418786f6-9415-48ad-9e20-770f54bd00bdRechercher Cheng, C. F; Rechercher Wu, C. H; Rechercher Su, N. C; Rechercher Wang, S. J; Rechercher McAlister, Sean; Rechercher Chin, AIEEE Electron Device Letters, 2007, Volume : 28, Numéro : 12Article de périodique (revue)
A Program-Erasable High-k Hf0.3N0.2O 0.5 MIS Capacitor with Good Retention (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : A Program-Erasable High-k Hf0.3N0.2O 0.5 MIS Capacitor with Good Retentionhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=24ecf5fb-2035-4146-b2e3-9bb4e12ccc90Rechercher Yang, H. J; Rechercher Chin, A; Rechercher Chen, W. J; Rechercher Cheng, C. F; Rechercher Huang, V; Rechercher Hsieh, I. J; Rechercher McAlister, SeanIEEE Electron Device Letters, 2007, Volume : 28, Numéro : 10Article de périodique (revue)
The Effect of IrO2-IrO2/Hf/LaAlO3 Gate Dielectric on the Bias-Temperature Instability of 3-D GOI CMOSFETs (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : The Effect of IrO2-IrO2/Hf/LaAlO3 Gate Dielectric on the Bias-Temperature Instability of 3-D GOI CMOSFETshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=75da39aa-8372-41b2-8155-25899244d286Rechercher Yu, D. S; Rechercher Liao, C. C; Rechercher Cheng, C. F; Rechercher Chin, A; Rechercher Li, M. F; Rechercher McAlister, SeanIEEE Electron Device Letters, 2005, Volume : 26, Numéro : 6Article de périodique (revue)
Reducing AC Power Consumption by Three-Dimensional Integration of Ge-On-Insulator CMOS on 1-Poly-6-Metal 0.18 um Si MOSFETs (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Reducing AC Power Consumption by Three-Dimensional Integration of Ge-On-Insulator CMOS on 1-Poly-6-Metal 0.18 um Si MOSFETshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=36f3a542-3377-4b59-bbe0-9150078850faRechercher Yu, D. S; Rechercher Liao, C. C; Rechercher Chen, C. C; Rechercher Lee, C. F; Rechercher Cheng, C. F; Rechercher Chin, A; Rechercher McAlister, SeanJournal of The Electrochemical Society, 2005, Volume : 152, Numéro : 8Article de périodique (revue)
A Novel Program-Erasable High-k AlN-Si MIS Capacitor (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : A Novel Program-Erasable High-k AlN-Si MIS Capacitorhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=d4ccef81-09d3-4022-bdab-27f0985fadcbRechercher Lai, C. H; Rechercher Chin, A; Rechercher Hung, B. F; Rechercher Cheng, C. F; Rechercher Yoo, W. J; Rechercher Li, M. F; Rechercher Zhu, C; Rechercher McAlister, Sean; Rechercher Kwong, D. LIEEE Electron Device Letters, 2005, Volume : 26, Numéro : 3Article de périodique (revue)
Three-Dimensional Metal Gate-High-k-GOI CMOSFETs on 1-Poly-6-Metal 0.18ƒÝm Si Devices (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Three-Dimensional Metal Gate-High-k-GOI CMOSFETs on 1-Poly-6-Metal 0.18ƒÝm Si Deviceshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=414bab02-5504-43b5-a12f-9cf779350514Rechercher Yu, D. S; Rechercher Chin, A; Rechercher Liao, C. C; Rechercher Lee, C. F; Rechercher Cheng, C. F; Rechercher Li, M. F; Rechercher Yoo, W. J; Rechercher McAlister, SeanIEEE Electron Device Letters, 2005, Volume : 26, Numéro : 2Article de périodique (revue)
3D GOI CMOSFETs with Novel IrO2(Hf) Dual Gates and High-k Dielectric on 1P6M-0.18μm-CMOS (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : 3D GOI CMOSFETs with Novel IrO2(Hf) Dual Gates and High-k Dielectric on 1P6M-0.18μm-CMOShttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=c2e3b6d2-adaf-4a6f-8c55-f08f3f07aa34Rechercher Yu, Siu Hong; Rechercher Chin, A; Rechercher Laio, C. C; Rechercher Lee, C. F; Rechercher Cheng, C. F; Rechercher Chen, W. J; Rechercher Zhu, C; Rechercher Li, M. -F; Rechercher McAlister, Sean; Rechercher Kwong, D. LIEEE International IEDM Technical Digest, 2004Article de périodique (revue)