https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=ecab0b15-e4e2-471b-81a5-98f465d2e148
Rechercher Sachrajda, A.S; Rechercher Feng, Y; Rechercher Taylor, R.P; Rechercher Kirczenow, G; Rechercher Henning, L; Rechercher Wang, J; Rechercher Zawadzki, P; Rechercher Coleridge, P.T
Physical Review B, American Physical Society, 1994, Volume : 50, Numéro : 15
A 300-nm-diameter gate is used to introduce an antidot or artificial impurity into a quantum wire defined in an AlxGa1-xAs/GaAs two-dimensional electron gas....
Article de périodique (revue)