On the carrier concentration and Hall mobility in GaN epitaxial layers (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : On the carrier concentration and Hall mobility in GaN epitaxial layershttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=7cac495d-5352-46a5-b318-5a0089e827acRechercher Ko, C. H; Rechercher Chang, Shoude; Rechercher Su, Y. K; Rechercher Lan, W. H; Rechercher Chen, J. F; Rechercher Kuan, T. M; Rechercher Huang, Y. C; Rechercher Chiang, C. I; Rechercher Webb, James; Rechercher Lin, W. JJapanese Journal of Applied Physics, 2002, Volume : 41Article de périodique (revue)
InGaN/GaN light emitting diodes with a p-down structure (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : InGaN/GaN light emitting diodes with a p-down structurehttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=dac08e92-b76e-4f8c-806e-99401c0cb255Rechercher Su, Y. K; Rechercher Chang, Shoude; Rechercher Ko, C. -H; Rechercher Chen, J. F; Rechercher Kuan, T. M; Rechercher Lan, W. H; Rechercher Lin, W. J; Rechercher Cheng, Y. T; Rechercher Webb, JamesIEEE Transactions on Electron Devices, 2002, Volume : 49, Numéro : 8Article de périodique (revue)