https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=d604c531-9506-4a68-8087-18334b29b9e7
Rechercher Tang, H; Rechercher Fang, Z.Q; Rechercher Rolfe, S; Rechercher Bardwell, J.A; Rechercher Raymond, S
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 18 mai 2010, Volume : 107, Numéro : 103701
Growth of unintentionally doped (UID) semi-insulating GaN on SiC and highly resistive GaN on sapphire using the ammonia molecular-beam epitaxy technique is...
Article de périodique (revue)
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