https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=8ef9befe-7470-4cc6-bbec-e3fb257831d5
Crystals, MDPI, 1 septembre 2017, Volume : 7, Numéro : 9
p-Type doping represents a key step towards III-nitride (InN, GaN, AlN) optoelectronic devices. In the past, tremendous efforts have been devoted to obtaining...
Article de périodique (revue)
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