https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=b30e2fff-3087-423c-a900-5ea93825e05f
Rechercher Lafontaine, H; Rechercher Haghiri-Gosnet, A.M; Rechercher Jin, Y; Rechercher Crozat, P; Rechercher Adde, R; Rechercher Chaker, M; Rechercher Pepin, H; Rechercher Rousseaux, F; Rechercher Launois, H
IEEE Transactions on Electron Devices, 1 janvier 1996, Volume : 43, Numéro : 1
This paper is about the dc and microwave characterization of the first high electron mobility transistors (HEMT's) realized using X-ray lithography processing....
Article de périodique (revue)