Quantum confinement induced photoluminescence in porous silicon (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Quantum confinement induced photoluminescence in porous siliconhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=9d7b482b-7e1a-4062-8e43-92710e7b550fRechercher Lockwood, David J; Rechercher Wang, Ai GuoSolid State Communications, juin 1995, Volume : 94, Numéro : 11An investigation of the red photoluminescence (PL) in uniform layers of porous silicon has revealed an inverse relationship between the PL peak energy and the...Article de périodique (revue)
Stabilization of porous silicon electroluminescence by surface passivation with controlled covalent bonds (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Stabilization of porous silicon electroluminescence by surface passivation with controlled covalent bondshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=59c80c7b-0730-44c8-87c4-9f58d7ef2e26Rechercher Gelloz, B; Rechercher Sano, H; Rechercher Boukherroub, R; Rechercher Wayner, Danial; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Koshida, NApplied Physics Letters, 2003, Volume : 83, Numéro : 12Article de périodique (revue)
Carrier tunneling, current instabilities, and negative differential conductivity in nanocrystalline silicon-silicon dioxide superlattices (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Carrier tunneling, current instabilities, and negative differential conductivity in nanocrystalline silicon-silicon dioxide superlatticeshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=526f7d60-7242-4a6a-8040-c924ba737ee7Rechercher Kamenev, B; Rechercher Grom, G; Rechercher Lockwood, David; Rechercher McCaffrey, John; Rechercher Laikhtman, B; Rechercher Tsybeskov, LVolume: 737, MRS, 2003, Volume : 737Article de périodique (revue)
Effect of ruthenium cluster on the photoluminescence of chemically derivatized porous silicon (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Effect of ruthenium cluster on the photoluminescence of chemically derivatized porous siliconhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=e4e1874d-539a-4b3c-9c21-c35381c293c6Rechercher Boukherroub, R; Rechercher Zargarian, D; Rechercher Reber, C; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Carty, A. J; Rechercher Wayner, DanialApplied Surface Science, 2003, Volume : 217, Numéro : 1-4Article de périodique (revue)
Intersubband raman lasing and importance of interface phonons (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Intersubband raman lasing and importance of interface phononshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=0db6092a-4eb0-4018-92d9-1834b1fa23dbRechercher Liu, Hui; Rechercher Song, C-Y; Rechercher Wasilewski, Zbigniew; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Aers, Geoffrey; Rechercher Dharma-Wardana, M; Rechercher Springthorpe, AnthonyVolume: 171, Institute of Physics, 2003, Volume : 171Article de périodique (revue)
Photoluminescence within crystalline-Si/SiO2 single quantum wells (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Photoluminescence within crystalline-Si/SiO2 single quantum wellshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=f20229e5-2d74-4aa6-8abf-4b5acd13bd03Rechercher Lockwood, David; Rechercher Dharmawardana, M; Rechercher Lu, Z; Rechercher Grozea, D; Rechercher Carrier, P; Rechercher Lewis, LaurentVolume: 737, MRS, 2003, Volume : 737Article de périodique (revue)
Spin Waves in Permalloy Nanowires: Important Role of Easy-Plane Anisotropy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Spin Waves in Permalloy Nanowires: Important Role of Easy-Plane Anisotropyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=ec298c4c-9a4f-4a79-97e6-464e191b4039Rechercher Nguyen, T. M; Rechercher Cottam, M. G; Rechercher Liu, H. Y; Rechercher Wang, Z. K; Rechercher Ng, S. C; Rechercher Kuok, M. H; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Nielsch, K; Rechercher Gösele, UPhysical Review. B, 2006, Volume : 73Article de périodique (revue)
Photoluminescence in GeSiGe Quantum Dots" in "Nanocrystalline Semiconductor Materials and Devices (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Photoluminescence in GeSiGe Quantum Dots" in "Nanocrystalline Semiconductor Materials and Deviceshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=390e52fa-0fc8-4c5e-9ada-e1279e05890fRechercher Kamenev, B; Rechercher Tsybeskov, L; Rechercher Baribeau, J-M; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Kamins, TVolume: 737, 2002, Volume : 737Article de périodique (revue)
Optical Absorption in Amorphous Silicon Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Optical Absorption in Amorphous Silicon Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=d8e1b48f-8e5a-4f98-abc9-2ac5822ab177Rechercher Lockwood, David; Rechercher Baribeau, Jean-Marc; Rechercher Noël, Mario; Rechercher Zwinkels, Joanne; Rechercher Fogal, B. J; Rechercher O'Leary, S. KSolid state communications, 2002, Volume : 122, Numéro : 5Article de périodique (revue)
Si1-x-yGexCy Alloy Growth by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Si Molecular Beam Epitaxy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Si1-x-yGexCy Alloy Growth by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Si Molecular Beam Epitaxyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=e3d988bc-007f-442a-9677-a1ef2019c1beRechercher Baribeau, Jean-Marc; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Balle, J; Rechercher Rolfe, Stephen; Rechercher Sproule, GMaterials Science & Engineering B, 2002, Volume : 89, Numéro : 1-3Article de périodique (revue)