Hf distributions in as-grown and annealed (HfO2)0.25(SiO2)0.75 films with thicknesses in the range 4-13 nm were investigated by high resolution transmission...
Journal of applied physics, 18 juin 2010, Volume : 107, Numéro : 12
Hf silicate films (HfO2)0.25(SiO2)0.75 with thicknesses in the range 4–20 nm were grown on silicon substrate by atomic layer deposition at 350 °C. Hf...
The 23rd Annual Conference on Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
The SiNx/GaAs (110) interface structure of the metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors modified with ultrathin Si or Si/Ge (5 to 15 Å) heterolayers and...
Current Applied Physics, 2003, Volume : 3, Numéro : 1
The medium energy ion scattering (MEIS) system at the University of Western Ontario has been modified by replacing the original one-dimensional position...
Materials Research Society Workshop Series: International Workshop on Devices Technology: Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics
Journal of the Electrochemical Society, 2003, Volume : 150, Numéro : 7
Ultrathin Zr silicate films were deposited using Zr(OiPr)2(tetramethylheptanedione,thd)2, Si(OtBu)2(thd)2 and nitric oxide in a pulse-mode metallorganic...
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