Journal of Crystal Growth, 4 avril 2003, Volume : 253, Numéro : June
Short-period Si/SiGe strained-layer superlattices have been grown on bulk single-crystal SiGe substrates using a commercial low-temperature ultrahigh vacuum...
Materials issues in novel Si-based technology: symposium held November 26-28, Cambridge University Press, 2002
High-quality short-period Si/SiGe strained-layer superlattices have been grown on bulk single-crystal SiGe substrates using a commercial low-temperature...
We report a new charge-trap-engineered flash non-volatile memory that has combined 5 nm Si3N4 and 0.9 nm EOT HfON trapping layers, within double-barrier and...
Progress in semiconductors II: electronic and optoelectronic applications, 2003
Near band-edge photoluminescence (PL) in high-quality UHV/CVD tensile-strained Si type-II quantum wells (QWs) with varying well width grown on bulk crystal...
Canadian Journal of Physics, National Research Council of Canada. NRC Research Press, mars 1991, Volume : 69, Numéro : 3-4
We have simulated the transient response of metal–semiconductor–metal (MSM) photodetectors to an optical impulse, using a two-dimensional (2-D) drift-diffusion...
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