https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=aaf3922d-5e79-410d-86fe-2caeedd1e747
Rechercher Hassan, Ahmad; Rechercher Noël, Jean-Paul; Rechercher Savaria, Yvon; Rechercher Sawan, Mohamad
Electronics, MDPI, 23 décembre 2021, Volume : 11, Numéro : 1
As a wide bandgap semiconductor, Gallium Nitride (GaN) device proves itself as a suitable candidate to implement high temperature (HT) integrated circuits....
Article de périodique (revue)
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