https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=318ed558-e4ae-4502-ad0a-18fa028e44c7
Rechercher Xia, H; Rechercher Lennard, W; Rechercher Huang, L; Rechercher Lau, Wai-Hung; Rechercher Baribeau, J-M; Rechercher Landheer, Dolf
Journal Of Applied Physics, 15 octobre 1996, Volume : 80, Numéro : 8
The depth distribution of sulphur near the Si/GaAs(110) interface has been measured using particle induced x-ray emission (PIXE) in conjunction with Rutherford...
Article de périodique (revue)